Gtアドバンスト・テクノロジーズ、「snec 2018 Pvパワー・エキスポ」で新製品を披露


ニューハンプシャー州メリマック発, May 18, 2018 (GLOBE NEWSWIRE) -- GTATコーポレーション (GTAT Corporation: GTAT) は、5月28日から30日まで中国上海で開催される本年度の「SNEC 2018パワー・エキスポ (SNEC 2018 Power Expo) 」で幾つかの新製品を披露する。本年GTATのブースで展示される新製品には、最近発表されたPV誌 (PV Magazine) の2018年テクノロジー・ハイライト・トップイノベーション (2018 Technology Highlights Top Innovation) を受賞した画期的な技術革新であり、いずれのシーメンスCVD (Siemens CVD) プロセスであってもその生産性を向上させることができるチューブフィラメント (Tube Filament)、単結晶インゴットの品質を向上させ、同時に製造コストを低減する技術である連続Czフィーダ (Continuous Cz Feeder) などが含まれている。GTATはまた、6インチのシリコンカーバイド素材のサンプルも展示する。GTATは、次世代型PVインバータの低コスト素材への需要の高まりに対応するために、6インチのシリコンカーバイド素材の主要サプライヤーになることを目指している。GTATのブースはE4-215ホールにある。

GTアドバンスト・テクノロジーズ (GT Advanced Technologies) のCEOであるグレッグ・ナイト (Greg Knight) は次のように述べている。「まもなく開催されるSNEC展示会で、最新の製品と技術を紹介するのを楽しみにしています。GTATでは長年にわたり、PVバリューチェーンでコストを押し下げる製品の開発実績を持っていますが、本年の展示会でご紹介する製品は、この革新の歴史をさらに強化するものです。当社のブースで展示される製品で代表的なのは、新しいチューブフィラメントと連続CZフィーダです。さらに、6インチのシリコンカーバイド素材のサンプルも展示します。低コスト、高品質のシリコンカーバイド素材を入手できることは、PV業界や、エネルギー貯蔵や電気自動車などの他のパワーエレクトロニクス産業セグメントにとって重要です。」

チューブフィラメント
GTAT独自のチューブフィラメントは、ポリシリコン産業向けの革命的な新技術である。どのシーメンスCVDリアクタでも使用できるチューブフィラメントは、標準フィラメントに代用すると生産性とエネルギー消費を大幅に向上させ、同時に信頼性を向上させるため、設備投資不要で1kgあたり数ドル節約することができる。チューブフィラメントのユニークな設計により、析出サイクルの最初からシリコンの成長に利用できる表面積が最大になる。これにより、通常の生産と同一の最終ロッド直径を達成するための電力が20%削減されるが、生産能力は30%以上も向上する。

GTATのチューブフィラメント担当プロダクトマネージャであるマイケル・ファンド (Michael Pfund) は、PVのインテリジェント製造テクノロジーについての業界ワークショップ (Industry Workshop on PV Intelligent Manufacturing Technology) の一環として、5月29日午後2時半にケリー・ホテル (Kerry Hotel) で「大型表面フィラメントを使用してシーメンスCVDの性能を改善する (Use of Large Surface Area Filaments to Improve Siemens CVD Performance) 」という題名のプレゼンテーションを行う。
http://www.snec.org.cn/Default.aspx?lang=en

連続Czフィーダ
GTAT独自の連続Czフィーダ (Continuous Cz Feeder) は、現在生産中のどの大容量Czファーネスにも統合可能であり、単結晶シリコンインゴットのメーカーに、優れた製品を生産しながら、より高いスループットとコスト削減を実現する方法を提供する。引張プロセス中にポリシリコンとドーパントを溶融物に連続的に供給することにより、インゴットの全長にわたり均一な抵抗を有するより長いインゴットを製造することができ、現在のバッチ式Cz引張機と比較して、スループットが15%増加し、結晶収率が10%改善される。

連続Czフィーダプロセスは、ホウ素ドープp型モノシリコンウェハ上で製造されたソーラーセルに関連する共通の問題である、光誘起劣化 (LID) の問題も解決する。引張プロセス中にホウ素をガリウムに代替すると、LIDに起因するセル効率の損失を解決できる。

GTATの連続Czフィーダ製品ラインのプロダクトマネージャであるハン・ジュー博士 (Dr. Han Xu) は、「単結晶シリコンを製造した連続チョクラルスキー (CCz) の材料特性の均一分布およびPERCセルの性能への影響 (Uniform distributions of material properties of continuous Czochralski (CCz) produced monocrystalline silicon and their effect on PERC cell performance) 」という題名のプレゼンテーションを、5月28日月曜日の1時45分からケリーホテルで開催される科学会議で行う。
http://www.snec.org.cn/website/Index.aspx?url=website/common&menuid=12&lang=en

GTATコーポレーションについて
GTATコーポレーション (GTAT Corporation) は、太陽光発電、パワーエレクトロニクス産業、フォトニクス産業のための高度な材料と革新的な結晶成長技術を生み出す多角化されたテクノロジー企業である。同社の技術革新は、この多様化の進んだグローバル市場において、新世代の製品の成長を加速させる。同社DBについて詳しくは、www.gtat.comを参照されたい。

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