ATP Electronics Meluncurkan SSD U.2 PCIe® Gen 4 x4 M.2 Industri 176-Layer yang Menawarkan Performa R/W yang Luar Biasa, dengan Kapasitas Tertinggi 7,68 TB

Generasi PCIe Tercepat yang Menggandakan Kecepatan Data Gen 3, Memangkas Latensi, dan Menawarkan Performa R/W yang Luar Biasa


Gen-4-x4-M.2_U.2-SSDs_key-visual

TAIPEI, Taiwan, June 28, 2023 (GLOBE NEWSWIRE) -- ATP Electronics, pemimpin global dalam solusi penyimpanan dan memori khusus, memperkenalkan solid state drive (SSD) berkecepatan tinggi Seri N600 M.2 2280 dan U.2 terbarunya yang menggunakan antarmuka PCIe® generasi ke-4 dan mendukung protokol NVMe™. Kecepatan data 16 GT/s SSD ATP PCIe Gen 4 yang baru adalah dua kali lipat dari generasi sebelumnya, yang berarti memiliki bandwidth 2 GB/dtk untuk setiap jalur PCIe.

Dengan menggunakan jalur x4, SSD ini memiliki bandwidth maksimum 8 GB/dtk, memenuhi kebutuhan transfer data berkecepatan tinggi yang semakin meningkat dalam aplikasi yang menuntut saat ini dan membuatnya cocok untuk aplikasi industri yang intensif baca/tulis dan sangat penting seperti jaringan/server, 5G, pencatatan data, pengawasan, dan pencitraan, dengan performa yang setara, bahkan lebih baik, daripada SSD konsumen PCIe Gen 4 yang ada di pasaran.

Flash NAND 176-Layer, DRAM Internal yang Menawarkan QoS yang Luar Biasa,
Biaya per GB Lebih Rendah dengan Paket Die 512 Gbit Utama

Seri N600 diciptakan mengungguli flash NAND 3D 176-layer yang inovatif dan menggunakan paket die 512 Gbit yang prima untuk memberikan tidak hanya peningkatan performa melalui teknologi 64-layer, tetapi juga peningkatan harga yang menghasilkan biaya yang lebih rendah per GB.

SSD M.2 2280 tersedia dalam kapasitas mulai dari 240 GB hingga 3,84 TB, sedangkan SSD U.2 tersedia mulai dari 960 GB hingga 7,68 TB untuk pilihan yang lebih hemat biaya guna kebutuhan penyimpanan yang beragam.

Dengan peringkat Quality of Service (QoS) atau kualitas layanan yang luar biasa dibandingkan dengan generasi sebelumnya, Seri N600 menawarkan konsistensi dan prediktabilitas yang optimal dengan performa baca/tulis yang lebih tinggi, IOPS yang tinggi, write amplification index (WAI) yang rendah, dan latensi yang rendah, berkat DRAM internal. DRAM internal memberikan performa berkelanjutan yang lebih tinggi dalam jangka waktu operasi yang lama dibandingkan dengan solusi tanpa DRAM.

Dukungan Pasokan Jangka Panjang yang Siap untuk Masa Depan

Memaksimalkan masa pakai SSD, serta ketersediaan unit pengganti lama setelah produk kelas konsumen yang serupa berhenti diproduksi, merupakan hal yang penting bagi bisnis untuk mendapatkan hasil maksimal dari investasi mereka. Inilah alasan mengapa ATP Electronics berkomitmen untuk memberikan dukungan yang berkepanjangan.

"Kami sangat senang dapat memperkenalkan lini produk baru ini berdasarkan flash NAND 176-layer triple level cell (TLC). Meskipun ada iterasi NAND yang lebih baru yang dirilis dalam 2XX+layer, ini akan fokus pada 1 Tbit dan ukuran kepadatan yang lebih besar. NAND 3D TLC 176-layer dengan kepadatan 512 Gbit tetap menjadi kepadatan yang tepat untuk banyak aplikasi sematan dan khusus, mengingat kebutuhan mereka yang terus berlanjut untuk kepadatan perangkat SSD menengah dan rendah.

"Selain posisi harga yang kompetitif, generasi ini akan menawarkan peningkatan latensi dan peningkatan keandalan di semua rentang suhu. Bahkan mungkin yang lebih penting bagi basis pelanggan kami, generasi ini akan menawarkan produk yang tahan lama di masa mendatang. Kami dapat bekerja dengan percaya diri dengan basis pelanggan kami yang sering kali membutuhkan perencanaan umur panjang produk lebih dari 5 tahun," ujar Jeff Hsieh, Presiden dan Pejabat Tertinggi Eksekutif ATP Electronics.

Pengoperasian yang Andal dan Aman

Seri N600 menawarkan sejumlah fitur keandalan, keamanan, dan integritas data, seperti:

  • Perlindungan data menyeluruh, dukungan fungsi TRIM, dan koreksi kesalahan LDPC
  • Resistor anti-sulfur menolak efek merusak dari kontaminasi sulfur, menjamin operasi yang dapat diandalkan bahkan di lingkungan dengan kandungan sulfur yang tinggi
  • Enkripsi AES 256-bit berbasis perangkat keras dan keamanan TCG Opal 2.0/ IEEE 1667 opsional untuk drive enkripsi otomatis (SED)
  • Seri N600Sc menawarkan pengoperasian yang andal dalam berbagai pergantian suhu dengan peringkat C-Temp (0°C hingga 70°C). Seri N600Si yang dapat dioperasikan pada suhu I-Temp (-40°C hingga 85°C) akan tersedia untuk rilis selanjutnya.
  • Pelambatan termal secara cerdas menyesuaikan beban kerja per satuan waktu pengoperasian. Tahapan pelambatan telah dikonfigurasikan sebelumnya, sehingga pengontrol dapat secara efektif mengelola panas yang dihasilkan untuk menjaga SSD tetap dingin. Hal ini memastikan performa berkelanjutan yang stabil dan mencegah panas merusak perangkat. Opsi heatsink tersedia berdasarkan proyek dan sesuai permintaan pelanggan.
  • Mekanisme perlindungan kehilangan daya (PLP). Seri N600 U.2 dan SSD M.2 2280 berperingkat I-Temp yang akan datang memiliki fitur PLP berbasis perangkat keras. Kapasitor internal dapat menahan daya cukup lama untuk memastikan perintah baca/tulis/hapus terakhir telah selesai, dan data disimpan dengan aman dalam memori flash non-volatile. Desain berbasis unit mikrokontroler (MCU) memungkinkan susunan PLP bekerja secara cerdas dalam berbagai suhu, gangguan daya, dan status pengisian daya untuk melindungi perangkat dan data. Di sisi lain, SSD M.2 2280 dengan peringkat C-Temp, memiliki fitur PLP berbasis firmware, yang secara efektif melindungi data yang telah ditulis ke perangkat sebelum kehilangan daya.

Aplikasi yang Sangat Penting: Kami Membangun Bersama Anda

Bergantung pada dukungan proyek dan permintaan pelanggan, ATP dapat menyediakan kustomisasi perangkat keras/perangkat lunak, kustomisasi solusi termal, serta validasi dan kolaborasi bersama teknik.

Untuk memastikan keandalan desain untuk aplikasi yang sangat penting, ATP melakukan pengujian ekstensif, validasi desain/karakterisasi produk dan spesifikasi yang komprehensif, serta pengujian khusus dalam tahap produksi massal (MP), seperti burn-in, siklus daya, skrip pengujian khusus, dan banyak lagi.

Sorotan Produk

 PCIe® Gen 4 NVMe M.2 2280PCIe® Gen 4 NVMe U.2
Kapasitas240 GB hingga 3,84 TB960 GB hingga 7,68 TB
Suhu PengoperasianC-Temp (0°C hingga 70°C): N600ScI-Temp (-40°C hingga 85°C): N600Si (akan datang)
Manajemen Termal untuk Pembuangan Panas yang Optimal•  Penyebar panas tembaga berlapis nikel
•  dengan desain heatsink tipe sirip 4 mm atau 8 mm
Desain heatsink tipe sirip 15 mm
KeamananEnkripsi AES 256-bitTCG Opal 2.0
Integritas DataPerlindungan jalur data menyeluruh
Performa (Baca/Tulis hingga)6.450/6.050 MB/dtk6.000/5.500 MB/dtk
Lainnya Memiliki fungsi hot-swap

*Oleh Dukungan Proyek

Untuk informasi selengkapnya tentang SSD PCIe Gen 4 x4 M.2 Seri N600 dari ATP, kunjungi:
https://www.atpinc.com/products/industrial-gen4-nvme-M.2-ssd
Untuk informasi selengkapnya tentang SSD PCIe Gen 4 x4 U.2 Seri N600 dari ATP, kunjungi:
https://www.atpinc.com/products/industrial-gen4-U.2-ssd

Kontak Media untuk Siaran Pers: Kelly Lin (Kellylin@tw.atpinc.com)

Ikuti ATP Electronics di LinkedIn: https://www.linkedin.com/company/atp-electronics

Tentang ATP
ATP Electronics (“ATP”) telah memiliki pengalaman manufaktur lebih dari 30 tahun sebagai produsen terkemuka produk memori dan penyimpanan flash NAND untuk aplikasi di bidang industri/otomotif/sematan yang ketat. Sebagai “Pemimpin Global dalam Solusi Penyimpanan dan Memori Khusus”, ATP terkenal akan keahliannya dalam solusi termal dan berdaya tahan tinggi. ATP berkomitmen untuk memberikan pembeda bernilai tambahan dan TCO terbaik untuk pelanggan. Sebagai produsen unggulan, ATP mengelola setiap tahap dalam proses manufaktur untuk menjamin kualitas dan keberlangsungan produknya. ATP menjunjung tinggi standar tanggung jawab sosial perusahaan dengan memastikan terpenuhinya nilai keberlanjutan untuk pekerja, lingkungan, dan bisnis di sepanjang rantai pasokan global. Untuk informasi selengkapnya tentang ATP Electronics, silakan kunjungi www.atpinc.com atau hubungi kami di info@atpinc.com.

Foto yang disertakan pada pengumuman ini tersedia di:

https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/56be0635-5027-442b-b9e7-c64c43e353d7

https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/3f0e3129-6f53-4366-b5bc-fd0cdc86f5a1

https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/63c5d538-09c1-4481-a188-e66cc487ecc9

https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/512ea038-214a-4b27-bbf4-adf8fa8a3fac

https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/400709dd-4d79-4e2a-ad76-e3bc7266f7a5

https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/933e1523-0df5-485d-9a11-e130864b199b


ATP_Gen 4 M.2 2280 NVMe_pic3 ATP_Gen 4 M.2 2280 NVMe_pic1 ATP-Gen4-U.2-NVMe_N601Sc_7.68TB ATP_M.2-NVMe_2021_Fin-Type_8mm ATP-Gen4-U.2-NVMe_N651Si_7.68TB